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首页 全部分类 PDTC123EU,115 vs MMBT3906WT1G

PDTC123EU,115备选型号: MMBT3906WT1G

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 最小工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
  • 操作温度
  • 无铅代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 频率
  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PDTC123EU,115
    Nexperia USA Inc.
    PDTC123E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    4.535924g
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.95
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    PDTC123
    3
    100mA
    50V
    NPN
    Single
    SWITCHING
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    30 @ 20mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    50V
    2.2 k Ω
    2.2 k Ω
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMBT3906WT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 40V 0.2A SOT323
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    4.535924g
    40V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    MMBT3906
    -
    -
    -
    -
    Single
    AMPLIFIER
    PNP
    40V
    200mA
    100 @ 10mA 1V
    -
    400mV @ 5mA, 50mA
    40V
    -
    -
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    Tin
    SILICON
    -400mV
    250MHz
    -55°C~150°C TJ
    yes
    -40V
    -200mA
    250MHz
    150mW
    PNP
    250MHz
    40V
    5V
    70ns
    无SVHC
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