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PH9025L,115备选型号: NTB75N03R
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK表面贴装SC-100, SOT-669YESSILICON66A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2007e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)低导通损耗SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明4R-PSSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 10A, 10V2.15V @ 1mA1414pF @ 30V12.8nC @ 4.5V25V±20VMO-23566A0.013Ohm240A25V55 mJROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON9.7A Ta 75A Tc-55°C~150°C TJTube-2006e0Obsolete1 (Unlimited)2-Tin/Lead (Sn/Pb)--鸥翼235not_compliant未说明3R-PSSO-G2不合格-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING8m Ω @ 20A, 10V2V @ 250μA1333pF @ 20V13.2nC @ 10V-±20V-9.7A-225A-71.7 mJNon-RoHS Compliant表面贴装38541.29.00.9525V75ASingle74.4W75A20V25V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PH9030L,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK | 对比 |
| NTB75N03RT4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
| NTB75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK | 对比 |
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