PM75B5L1C060备选型号: FP30R06W1E3BOMA1
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- 最大集极截止电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOD IPM H-BRIDGE L1 75A 600V26 Weeks底座安装电源模块NO25600VIntellimod™2010活跃1 (Unlimited)25EAR99IGBT8542.39.00.01DUALTHROUGH-HOLE1300Vunknown252500VrmsH-Bridge75A1.9V符合RoHS标准---------------------
- IGBT MODULE 600V 37A 115W16 Weeks底座安装Module-23600V-2002活跃不适用23EAR99--UPPERUNSPECIFIED---23-三相逆变器-600V符合RoHS标准ScrewSILICON1.55V-40°C~150°Cno115WISOLATED115W电源控制N-CHANNELStandard37A1mA42 ns2V @ 15V, 30A245 ns沟渠现场停车有1.65nF @ 25V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FSAM50SM60A | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | Module | Smart Power Module 32-Pin SPM32-CA Rail | 对比 | |
| NGTG12N60TF1G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | Module | ON SEMICONDUCTOR NGTG12N60TF1GIGBT Single Transistor, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins | 对比 | |
| FSBB15CH60C | ON Semiconductor | 功率驱动器模块 | 27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm) | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FSBB15CH60C IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 15 A, 2 V, 55 W, 600 V, SPM27-CC | 对比 |




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