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首页 全部分类 PMDPB95XNE,115 vs PMGD175XN,115

PMDPB95XNE,115备选型号: PMGD175XN,115

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • NXP USA Inc.
    PMDPB95XNE,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    2.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    475mW
    2 N-Channel (Dual)
    120m Ω @ 2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    143pF @ 15V
    2.5nC @ 4.5V
    30V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMGD175XN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    900mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    390mW
    2 N-Channel (Dual)
    225m Ω @ 1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    75pF @ 15V
    1.1nC @ 4.5V
    30V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    e3
    6
    Tin (Sn)
    鸥翼
    IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.9A
    0.225Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.905W
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