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首页 全部分类 PMEG100V080ELPDZ vs SBS818-TL-E

PMEG100V080ELPDZ备选型号: SBS818-TL-E

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  • 端子表面处理
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  • 最小工作温度
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  • 最大重复反向电压(Vrrm)
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  • 二极管配置
  • 反向测试电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMEG100V080ELPDZ
    Nexperia USA Inc.
    PMEG100V080ELPD - 100 V, 8 A low leakage current Schottky barrier rectifier
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-277, 3-PowerDFN
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EFFICIENCY
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    3
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-F2
    SINGLE
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    500nA @ 100V
    850mV @ 8A
    CATHODE
    8A
    175°C Max
    8A
    100V
    8A
    1
    10 ns
    110pF @ 10V 1MHz
    0.5μA
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    SBS818-TL-E
    ON Semiconductor
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 2A 8EMH
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    GENERAL PURPOSE
    -
    -
    -
    -
    8
    -
    -
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    350μA @ 15V
    520mV @ 2A
    -
    2A
    -55°C~125°C
    1.5A
    30V
    2A
    1
    10 ns
    -
    350μA
    符合RoHS标准
    8
    e6
    yes
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    125°C
    -55°C
    Dual
    30V
    20A
    2 Independent
    15V
    无
    无铅
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