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PMF370XN,115备选型号: PMGD175XN,115
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- 场效应管特性
MOSFET N-CH 30V 0.87A SOT3236 Weeks表面贴装SC-70, SOT-3233SC-70870mA Tc1.5V @ 250μA2008-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™不用于新设计1 (Unlimited)560mWN-Channel440mOhm @ 200mA, 4.5V37pF @ 25V0.65nC @ 4.5V30V±12V870mA370mOhmROHS3 Compliant--------------------
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP-表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363--900mA-2012-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)-2 N-Channel (Dual)225m Ω @ 1A, 4.5V75pF @ 15V1.1nC @ 4.5V30V---ROHS3 CompliantYESSILICONe36Tin (Sn)鸥翼6IEC-60134R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET390mWSWITCHING1.5V @ 250μA0.9A0.225Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR0.905W逻辑电平门- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
 | PMV20XN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 3-Pin TO-236AB T/R | 对比 |
 | PMF250XN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323 | 对比 |
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