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首页 全部分类 PMGD130UN,115 vs PMG370XN,115

PMGD130UN,115备选型号: PMG370XN,115

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • NXP USA Inc.
    PMGD130UN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    1.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    390mW
    2 N-Channel (Dual)
    145m Ω @ 1.2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    83pF @ 10V
    1.3nC @ 4.5V
    20V
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMG370XN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    2.5V 4.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    -
    N-Channel
    440m Ω @ 200mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    37pF @ 25V
    0.65nC @ 4.5V
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    TrenchMOS™
    e3
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    ±12V
    0.96A
    0.44Ohm
    30V
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