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首页 全部分类 PMN49EN,135 vs IRFTS9342TRPBF

PMN49EN,135备选型号: IRFTS9342TRPBF

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  • 源Url状态检查日期
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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PMN49EN,135
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    4.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    N-Channel
    47m Ω @ 2A, 10V
    2V @ 1mA
    350pF @ 30V
    8.8nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFTS9342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
    表面贴装
    SOT-23-6
    5.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    P-Channel
    40m Ω @ 5.8A, 10V
    2.4V @ 25μA
    595pF @ 25V
    12nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    表面贴装
    6
    SILICON
    6
    EAR99
    40MOhm
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    4.6 ns
    SWITCHING
    13ns
    28 ns
    5.8A
    -1.3V
    20V
    -30V
    30 ns
    无SVHC
    无
    无铅
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