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首页 全部分类 PMT200EN,135 vs IPN60R3K4CEATMA1

PMT200EN,135备选型号: IPN60R3K4CEATMA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • NXP USA Inc.
    PMT200EN,135
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    YES
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    Single
    增强型MOSFET
    N-Channel
    235m Ω @ 1.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    475pF @ 80V
    10nC @ 10V
    100V
    ±20V
    1.8A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPN60R3K4CEATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
    表面贴装
    SOT-223-3
    -
    2.6A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    3.4 Ω @ 500mA, 10V
    3.5V @ 40μA
    93pF @ 100V
    4.6nC @ 10V
    600V
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    表面贴装
    3
    SILICON
    CoolMOS™
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    DRAIN
    SWITCHING
    2.6A
    3V
    600V
    超级交界处
    无SVHC
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