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首页 全部分类 PMXB360ENEAZ vs PMF3800SN,115

PMXB360ENEAZ备选型号: PMF3800SN,115

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    PMXB360ENEAZ
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PMXB360ENEAZ - MOSFET Transistor, N Channel, 1.1 A, 80 V, 0.345 ohm, 10 V, 1.7 V RoHS Compliant: Yes
    4 Weeks
    表面贴装
    3-XDFN Exposed Pad
    YES
    3
    SILICON
    1.1A Ta
    2.7V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 1.1A, 10V
    130pF @ 40V
    4.5nC @ 10V
    3.5ns
    ±20V
    3 ns
    1.1A
    20V
    80V
    0.45Ohm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMF3800SN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
    -
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    3
    -
    260mA Ta
    3.3V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    4.5 Ω @ 500mA, 10V
    40pF @ 10V
    0.85nC @ 10V
    -
    ±15V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    TrenchMOS™
    60V
    2013-06-14 00:00:00
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