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PMZ1000UN,315备选型号: PMGD175XN,115
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 功率 - 最大
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- 场效应管特性
N-Channel 30 V 1 Ohm 0.89 nC SMT TrenchMOS standard level FET - SOT-8838 Weeks表面贴装SC-101, SOT-883YES3SILICON480mA Ta950mV @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e3活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)BOTTOMSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET350mWDRAIN4 nsN-ChannelSWITCHING1 Ω @ 200mA, 4.5V43pF @ 25V0.89nC @ 4.5V7.5ns±8V4.5 ns480mA8V30V0.48A1Ohm无ROHS3 Compliant-----------
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP-表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES-SILICON900mA--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3Obsolete1 (Unlimited)6Tin (Sn)-SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET---2 N-Channel (Dual)SWITCHING225m Ω @ 1A, 4.5V75pF @ 15V1.1nC @ 4.5V------0.9A0.225Ohm-ROHS3 Compliant鸥翼6IEC-60134R-PDSO-G6390mW1.5V @ 250μA30V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR0.905W逻辑电平门- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMPB16XN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN | 对比 |
 | PMDPB95XNE,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 | 对比 |
 | PMV22EN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23 | 对比 |
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