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首页 全部分类 PMZ290UNE2YL vs DMP21D0UFB4-7B

PMZ290UNE2YL备选型号: DMP21D0UFB4-7B

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  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZ290UNE2YL
    Nexperia USA Inc.
    Single N-Channel 20 V 320 mOhm 1.4 nC 715 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-883
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    3
    SILICON
    1.2A Ta
    950mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    320m Ω @ 1.2A, 4.5V
    46pF @ 10V
    1.4nC @ 4.5V
    10ns
    20V
    ±8V
    4 ns
    1.2A
    8V
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP21D0UFB4-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
    17 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    770mA Ta
    700mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.1 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    495m Ω @ 400mA, 4.5V
    80pF @ 10V
    1.54nC @ 8V
    8ns
    20V
    ±8V
    18.5 ns
    1.17A
    8V
    -
    ROHS3 Compliant
    e4
    yes
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    260
    40
    1
    Single
    990mW
    0.86A
    0.4Ohm
    -20V
    350μm
    1.05mm
    650μm
    无SVHC
    无
    无铅
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