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首页 全部分类 PSMN020-100YS,115 vs BUK7Y54-75B,115

PSMN020-100YS,115备选型号: BUK7Y54-75B,115

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 系列
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN020-100YS,115
    Nexperia USA Inc.
    Single N-Channel 100 V 37 mOhm 57.4 nC 106 W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-56
    12 Weeks
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    YES
    4
    SILICON
    4V @ 1mA
    43A Tc
    2014
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    20.5m Ω @ 15A, 10V
    2210pF @ 50V
    41nC @ 10V
    100V
    ±20V
    43A
    MO-235
    0.0205Ohm
    172A
    100V
    71 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK7Y54-75B,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK
    -
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    -
    4
    -
    4V @ 1mA
    21.4A Tc
    2010
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    54m Ω @ 10A, 10V
    803pF @ 25V
    12nC @ 10V
    75V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    TrenchMOS™
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