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首页 全部分类 PSMN2R0-25YLDX vs BSC015NE2LS5IATMA1

PSMN2R0-25YLDX备选型号: BSC015NE2LS5IATMA1

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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN2R0-25YLDX
    Nexperia USA Inc.
    PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    LFPAK56, Power-SO8
    100A Tc
    2.2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    N-Channel
    2.09mOhm @ 25A, 10V
    2485pF @ 12V
    34.1nC @ 10V
    25V
    ±20V
    100A
    2.485nF
    Schottky Diode (Body)
    1.82mOhm
    2.09 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC015NE2LS5IATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    33A Ta 100A Tc
    2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    1.5m Ω @ 30A, 10V
    2000pF @ 12V
    30nC @ 10V
    -
    ±16V
    100A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    OptiMOS™
    yes
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    25V
    33A
    0.0022Ohm
    400A
    not_compliant
    含铅
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