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首页 全部分类 PSMN3R0-60PS,127 vs BUK6E3R2-55C,127

PSMN3R0-60PS,127备选型号: BUK6E3R2-55C,127

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN3R0-60PS,127
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 100A, 3-TO-220AB
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    100A Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    306W
    DRAIN
    31 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 25A, 10V
    8079pF @ 30V
    130nC @ 10V
    26ns
    ±20V
    22 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    60V
    60V
    824A
    800 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BUK6E3R2-55C,127
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    3
    -
    306W Tc
    2.8V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    -
    306W
    -
    61 ns
    N-Channel
    -
    3.2m Ω @ 25A, 10V
    15300pF @ 25V
    258nC @ 10V
    101ns
    ±16V
    186 ns
    120A
    -
    20V
    55V
    55V
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    not_compliant
    无铅
  • 添加型号
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BUK9E2R8-60E,127 BUK9E2R8-60E,127 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail 对比