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PSMN3R4-30BLE,118备选型号: BUK9E04-30B,127
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 系列
- ECCN 代码
- HTS代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
MOSFET N-CH 30V D2PAK12 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON120A Tc2.15V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011e3活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)SINGLE鸥翼IEC-60134R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3.4m Ω @ 25A, 10V4682pF @ 15V81nC @ 10V30V±20V120A0.005Ohm672A30V246 mJnot_compliantROHS3 Compliant------
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AANO3SILICON75A Tc2V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2011e3Obsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE--R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 25A, 10V6526pF @ 25V56nC @ 5V30V±15V75A0.0044Ohm732A30V1300 mJ-ROHS3 CompliantTrenchMOS™EAR998541.29.00.75未说明未说明不合格- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| BUK761R4-30E,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET | 对比 |
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