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PSMN4R6-60BS,118备选型号: BUK6E3R2-55C,127
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 系列
- 达到SVHC
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK12 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON100A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2012e3活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET211WDRAIN26 nsN-ChannelSWITCHING4.4m Ω @ 25A, 10V4426pF @ 30V70.8nC @ 10V24ns±20V22 ns100A20V60V0.0044Ohm60V565A266 mJ无ROHS3 Compliant----
MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK12 Weeks通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA-3-306W Tc2.8V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2010-Obsolete1 (Unlimited)----Single-306W-61 nsN-Channel-3.2m Ω @ 25A, 10V15300pF @ 25V258nC @ 10V101ns±16V186 ns120A20V55V-55V---Non-RoHS CompliantTinAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™not_compliant无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7109-75AIE,118 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-5, D2Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 对比 |
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