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首页 全部分类 PSMN6R3-120PS vs BUK9E6R1-100E,127

PSMN6R3-120PS备选型号: BUK9E6R1-100E,127

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 包装
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 系列
  • 附加功能
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN6R3-120PS
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 120V 70A TO-220
    12 Weeks
    NO
    TO-220-3
    通孔
    3
    SILICON
    405W Tc
    4V @ 1mA
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    260
    30
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    405W
    DRAIN
    42.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.7m Ω @ 25A, 10V
    11384pF @ 60V
    207.1nC @ 10V
    58.2ns
    ±20V
    67.7 ns
    70A
    3V
    TO-220AB
    20V
    120V
    0.0067Ohm
    120V
    280A
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK9E6R1-100E,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
    -
    NO
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    通孔
    3
    SILICON
    120A Tc
    2.1V @ 1mA
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    2012
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    -
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5.9m Ω @ 25A, 10V
    17460pF @ 25V
    133nC @ 5V
    -
    ±10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.0061Ohm
    -
    576A
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    TrenchMOS™
    雪崩 额定
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSIP-T3
    100V
    120A
    100V
    387 mJ
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BUK7619-100B,118 BUK7619-100B,118 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK 对比