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PSMN7R5-25YLC,115备选型号: IRFHM8329TRPBF
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- 安装类型
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 源Url状态检查日期
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-chnl25V7.4m logic lvl MOSFET in LFPAK表面贴装SC-100, SOT-669456A Tc1.95V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013Obsolete1 (Unlimited)N-Channel7.4m Ω @ 15A, 10V921pF @ 12V15nC @ 10V25V±20V2013-06-14 00:00:00not_compliantROHS3 Compliant-------------------------
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN表面贴装8-PowerTDFN816A Ta 57A Tc2.2V @ 25μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013不用于新设计1 (Unlimited)N-Channel6.1m Ω @ 20A, 10V1710pF @ 10V26nC @ 10V-±20V-无SVHCROHS3 Compliant39 Weeks表面贴装SILICONHEXFET®5EAR99DUALFLATS-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.6WDRAIN14 nsSWITCHING74ns14 ns16A1.7V20V30V230A43 mJ无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PSMN9R0-25YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-chnl25V9.1m logic lvl MOSFET in LFPAK | 对比 |
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