PSMN7R6-100BSEJ备选型号: BUK9E6R1-100E,127
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 参考标准
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 100V D2PAK12 WeeksYESTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装33.949996gSILICON75A Tj4V @ 1mA2012Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)2鸥翼R-PSSO-G21Single增强型MOSFETDRAIN31 nsN-ChannelSWITCHING7.6m Ω @ 25A, 10V7110pF @ 50V128nC @ 10V48ns±20V47 ns75A20V100V0.0076Ohm100V426 mJROHS3 Compliant------------
- MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-NOTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA通孔3-SILICON120A Tc2.1V @ 1mA2012Tube-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)3-R-PSIP-T3--增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING5.9m Ω @ 25A, 10V17460pF @ 25V133nC @ 5V-±10V----0.0061Ohm-387 mJROHS3 CompliantTrenchMOS™e3Tin (Sn)雪崩 额定SINGLEAEC-Q101; IEC-60134SINGLE WITH BUILT-IN DIODE100V120A576A100Vnot_compliant
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK | 对比 |


哦! 它是空的。