PSMN7R8-120PSQ备选型号: BUK9E6R1-100E,127
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 达到SVHC
- NEXPERIA - PSMN7R8-120PSQ - MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 120 V, 0.0062 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes12 Weeks通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AANO36.000006gSILICON70A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)31Single增强型MOSFETDRAIN45.5 nsN-ChannelSWITCHING7.9m Ω @ 25A, 10V9473pF @ 60V167nC @ 10V55.3ns±20V60.8 ns70ATO-220AB20V120V0.0079Ohm120V280AROHS3 Compliant-------------
- MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AANO3-SILICON120A Tc2.1V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2012Obsolete1 (Unlimited)3--增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING5.9m Ω @ 25A, 10V17460pF @ 25V133nC @ 5V-±10V-----0.0061Ohm-576AROHS3 CompliantTrenchMOS™e3Tin (Sn)雪崩 额定SINGLEAEC-Q101; IEC-60134R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE100V120A100V387 mJnot_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK | 对比 |


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