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PSMN8R0-30YL,115备选型号: PSMN5R9-30YL,115

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湿度敏感性等级(MSL)
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场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
源Url状态检查日期
RoHS状态

PSMN8R0-30YL,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

表面贴装
SC-100, SOT-669
62A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
TrenchMOS™
2011
Obsolete
1 (Unlimited)
not_compliant
4
N-Channel
8.3m Ω @ 15A, 10V
2.15V @ 1mA
1005pF @ 15V
18.3nC @ 10V
30V
±20V
2013-06-14 00:00:00
ROHS3 Compliant
PSMN5R9-30YL,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

表面贴装
SC-100, SOT-669
78A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
TrenchMOS™
2011
Obsolete
1 (Unlimited)
not_compliant
4
N-Channel
6.1m Ω @ 20A, 10V
2.15V @ 1mA
1226pF @ 15V
21.3nC @ 10V
30V
±20V
2013-06-14 00:00:00
ROHS3 Compliant
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