PSMN8R0-30YLC,115备选型号: IRLR7821PBF
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-chnl30V7.9m logic lvl MOSFET in LFPAK表面贴装SC-100, SOT-66954A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013Obsolete1 (Unlimited)N-Channel7.9m Ω @ 15A, 10V1.95V @ 1mA848pF @ 15V15nC @ 10V30V±20VROHS3 Compliant------------------------
- MOSFET N-CH 30V 65A DPAK表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6365A Tc-55°C~175°C TJTube2004Discontinued1 (Unlimited)N-Channel10m Ω @ 15A, 10V1V @ 250μA1030pF @ 15V14nC @ 4.5V-±20VROHS3 Compliant表面贴装3HEXFET®EAR9910MOhm30V65ASingle75W11 ns4.2ns3.2 ns65A1V20V30V30V1 V2.26mm6.7056mm6.22mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PSMN7R5-25YLC,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-chnl25V7.4m logic lvl MOSFET in LFPAK | 对比 |




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