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首页 全部分类 PSMN9R0-25YLC,115 vs NTD4865NT4G

PSMN9R0-25YLC,115备选型号: NTD4865NT4G

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  • 引脚数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PSMN9R0-25YLC,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-chnl25V9.1m logic lvl MOSFET in LFPAK
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    46A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    4
    N-Channel
    9.1m Ω @ 15A, 10V
    1.95V @ 1mA
    694pF @ 12V
    12nC @ 10V
    25V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4865NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    8.5A Ta 44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    4
    N-Channel
    10.9m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    827pF @ 12V
    10.8nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    表面贴装
    4
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    1.92W
    DRAIN
    SWITCHING
    19ns
    19 ns
    44A
    20V
    8.5A
    0.0109Ohm
    25V
    87A
    50 mJ
    无铅
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