您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PTVA101K02EVV1XWSA1 vs MRF6V2150NBR1

PTVA101K02EVV1XWSA1备选型号: MRF6V2150NBR1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 引脚数
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 工作电源电压
  • 无卤素
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 增益
  • 最高频率
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • DS 击穿电压-最小值
  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • Infineon Technologies
    PTVA101K02EVV1XWSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 105V 5-Pin H-36275-4 Tray
    Screw
    5
    2
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    200°C
    -65°C
    50V
    无卤素
    12V
    17.5 dB
    1.09GHz
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MRF6V2150NBR1
    NXP USA Inc.
    RF MOSFET, N CHANNEL, 110V, TO-272
    -
    -
    1
    2006
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    -
    25dB
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    10 Weeks
    TO-272BB
    YES
    SILICON
    Tape & Reel (TR)
    e3
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    FLAT
    260
    220MHz
    40
    MRF6V2150
    R-PDFM-F4
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    450mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    110V
    150W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    50V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MRFE6S9125NBR1 MRFE6S9125NBR1 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 TO-272BB Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin TO-272 W T/R 对比
MRFE6P3300HR3 MRFE6P3300HR3 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NI-860C3 Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin NI-860C3 T/R 对比