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首页 全部分类 R5005CNX vs IPA65R1K5CEXKSA1

R5005CNX备选型号: IPA65R1K5CEXKSA1

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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 场效应管特性
  • ROHM Semiconductor
    R5005CNX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 5A TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    5A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 2.5A, 10V
    4.5V @ 1mA
    320pF @ 25V
    10.8nC @ 10V
    500V
    ±30V
    5A
    TO-220AB
    5A
    20A
    500V
    1.6 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA65R1K5CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    5.2A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 1A, 10V
    3.5V @ 130μA
    225pF @ 100V
    10.5nC @ 10V
    -
    ±20V
    5.2A
    TO-220AB
    -
    8.3A
    -
    26 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    CoolMOS™
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    无卤素
    650V
    超级交界处
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