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首页 全部分类 R5021ANJTL vs FDG316P

R5021ANJTL备选型号: FDG316P

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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
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  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    R5021ANJTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    21A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    47 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 10.5A, 10V
    4.5V @ 1mA
    2300pF @ 25V
    64nC @ 10V
    70ns
    70 ns
    21A
    30V
    0.22Ohm
    500V
    84A
    29.6 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG316P
    ON Semiconductor
    MOSFET SC70-6 P-CH -30V
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 1.6A, 10V
    3V @ 250μA
    165pF @ 15V
    5nC @ 10V
    9ns
    9 ns
    1.6A
    20V
    -
    -30V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    28mg
    PowerTrench®
    e3
    yes
    EAR99
    190MOhm
    30V
    1.6A
    Single
    750mW
    ±20V
    -1.6V
    1mm
    2mm
    1.25mm
    无SVHC
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