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首页 全部分类 R6007ENX vs IPA60R460CEXKSA1

R6007ENX备选型号: IPA60R460CEXKSA1

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • RoHS状态
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  • 系列
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  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 通道数量
  • 元素配置
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  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • ROHM Semiconductor
    R6007ENX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 7A TO220
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    7A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    620m Ω @ 2.4A, 10V
    4V @ 1mA
    390pF @ 25V
    20nC @ 10V
    600V
    ±20V
    7A
    4V
    TO-220AB
    7A
    0.62Ohm
    14A
    600V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R460CEXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 9.1A TO220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    9.1A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    460m Ω @ 3.4A, 10V
    3.5V @ 280μA
    620pF @ 100V
    28nC @ 10V
    -
    ±20V
    9.1A
    -
    TO-220AB
    -
    0.46Ohm
    26A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.299997g
    CoolMOS™ CE
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    1
    Single
    11 ns
    无卤素
    9ns
    10 ns
    20V
    600V
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