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首页 全部分类 R6012FNJTL vs FDY102PZ

R6012FNJTL备选型号: FDY102PZ

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  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    R6012FNJTL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 12A LPT
    10 Weeks
    表面贴装
    SC
    83
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2013
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    50W
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    600V
    N-CHANNEL
    12A
    0.51Ohm
    48A
    1.3nF
    9.6 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    510 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY102PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3
    8 Weeks
    表面贴装
    SC-89, SOT-490
    3
    SILICON
    830mA Ta
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    -
    830mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    Tin
    表面贴装
    30mg
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    e3
    yes
    EAR99
    500MOhm
    Single
    625mW
    3.5 ns
    P-Channel
    500m Ω @ 830mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    135pF @ 10V
    3.1nC @ 4.5V
    2.9ns
    ±8V
    2.9 ns
    -700mV
    8V
    20V
    780μm
    1.7mm
    980μm
    无SVHC
    无
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