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首页 全部分类 R6015ENX vs STF18NM60N

R6015ENX备选型号: STF18NM60N

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    R6015ENX
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 15A TO220
    18 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    1
    4V @ 1mA
    150°C TJ
    Bulk
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    290m Ω @ 6.5A, 10V
    910pF @ 25V
    40nC @ 10V
    600V
    ±20V
    15A
    4V
    TO-220AB
    0.29Ohm
    600V
    284 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STF18NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
    16 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    13A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    285m Ω @ 6.5A, 10V
    1000pF @ 50V
    35nC @ 10V
    600V
    ±25V
    13A
    3V
    TO-220AB
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    MDmesh™ II
    e3
    EAR99
    285MOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STF18
    Single
    30W
    12 ns
    22ns
    40 ns
    25V
    650V
    52A
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
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