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首页 全部分类 RB162VA-20TR vs DLA11C-TR-E

RB162VA-20TR备选型号: DLA11C-TR-E

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  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 反向恢复时间
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • ROHM Semiconductor
    RB162VA-20TR
    ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 20V 1A TUMD2
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    2-SMD, Flat Lead
    2
    1
    Tape & Reel (TR)
    2010
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    125°C
    -40°C
    8541.10.00.80
    RB162VA-20
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    1.2mA @ 20V
    400mV @ 1A
    1A
    125°C Max
    1A
    360mV
    20V
    1A
    300μA
    25V
    5A
    5A
    20V
    600μm
    1.9mm
    1.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DLA11C-TR-E
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
    -
    表面贴装
    表面贴装
    2-SMD, J-Lead
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    980mV @ 1.1A
    -
    150°C Max
    -
    -
    200V
    1.1A
    10μA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    SMD
    200V
    1.1A
    50 ns
    200V
    50 ns
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