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首页 全部分类 RB496KATR vs DLA11C-TR-E

RB496KATR备选型号: DLA11C-TR-E

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  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
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  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 二极管配置
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 反向电压(直流电)
  • 反向测试电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 反向恢复时间
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • ROHM Semiconductor
    RB496KATR
    ROHM Semiconductor
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TUMD5
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD (5 Leads), Flat Lead
    5
    Tape & Reel (TR)
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    125°C
    -40°C
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    800μA @ 10V
    430mV @ 1A
    1A
    125°C Max
    430mV
    20V
    1A
    800μA
    20V
    5A
    2 Independent
    5A
    20V
    10V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DLA11C-TR-E
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
    -
    表面贴装
    表面贴装
    2-SMD, J-Lead
    -
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    980mV @ 1.1A
    -
    150°C Max
    -
    200V
    1.1A
    10μA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    SMD
    200V
    1.1A
    50 ns
    200V
    50 ns
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