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首页 全部分类 RB521S30,115 vs 1N4148WSF-7

RB521S30,115备选型号: 1N4148WSF-7

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 功率耗散
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 电容量
  • 反向恢复时间
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • Nexperia USA Inc.
    RB521S30,115
    Nexperia USA Inc.
    RB521S30 - 200 mA low Vf MEGA Schottky barrier rectifier
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-79, SOD-523
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    150°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    DUAL
    FLAT
    RB521S30
    2
    AEC-Q101; IEC-60134
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Schottky
    30μA @ 10V
    275mW
    500mV @ 200mA
    200mA
    150°C Max
    1A
    500mV
    30V
    200mA
    1
    2.5μA
    30V
    25pF @ 1V 1MHz
    1A
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    1N4148WSF-7
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
    19 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-90, SOD-323F
    2
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    150°C
    -55°C
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    500nA @ 80V
    -
    1.25V @ 150mA
    250mA
    -65°C~150°C
    -
    -
    100V
    250mA
    -
    500nA
    100V
    1.5pF @ 0V 1MHz
    4A
    100V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    8541.10.00.70
    1.5pF
    4 ns
    500mA
    150°C
    750μm
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