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首页 全部分类 RB550VAM-30TR vs DLA11C-TR-E

RB550VAM-30TR备选型号: DLA11C-TR-E

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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • ROHM Semiconductor
    RB550VAM-30TR
    ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2M
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    2-SMD, Flat Lead
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.80
    DUAL
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F2
    SINGLE
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    30μA @ 10V
    520mV @ 1A
    CATHODE
    1A
    150°C Max
    1A
    30V
    1A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DLA11C-TR-E
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
    -
    表面贴装
    表面贴装
    2-SMD, J-Lead
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 200V
    980mV @ 1.1A
    -
    -
    150°C Max
    -
    200V
    1.1A
    符合RoHS标准
    SMD
    200V
    1.1A
    50 ns
    10μA
    200V
    50 ns
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