RB851YT2R备选型号: MDB6S

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  • 二极管元件材料
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  • 容差
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
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  • 电容量
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 箱码(公制)
  • 箱码(英制)
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 输出电流-最大值
  • 平均整流电流(Io)
  • 正向电压
  • 最大反向电压(DC)
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 二极管配置
  • 反向测试电压
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 评级结果
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 相位的数量
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)
  • 高度
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 3V EMD4
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-75-4, SOT-543
    4
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2007
    10%
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    4
    SMD/SMT
    EAR99
    125°C
    -40°C
    HIGH RELIABILITY
    330pF
    DUAL
    FLAT
    RB851Y
    1005
    0402
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Schottky
    700nA @ 1V
    460mV @ 1mA
    30mA
    125°C Max
    0.03A
    30mA DC
    460mV
    3V
    30mA
    700nA
    3V
    2 Independent
    1V
    990.6μm
    304.8μm
    558.8μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    AEC-Q200
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Diode Rectifier Bridge Single 600V 1A 4-Pin Micro DIP SMD T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-SMD, Gull Wing
    4
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2013
    10%
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    470nF
    DUAL
    -
    MDB6
    2012
    0805
    -
    单相
    10μA @ 600V
    1.1V @ 1A
    1A
    -
    1A
    -
    1.1V
    -
    -
    10μA
    600V
    -
    -
    2.0066mm
    304.8μm
    939.8μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    270mg
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Single
    10μA
    30A
    1
    30A
    30A
    1.45mm
    无铅
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