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首页 全部分类 RBR5L30BTE25 vs RURD660S9A

RBR5L30BTE25备选型号: RURD660S9A

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  • 包装
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  • 端子位置
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 工作温度 - 结点
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  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
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  • 已出版
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RBR5L30BTE25
    ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DO-214AC, SMA
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    GENERAL PURPOSE
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    C 弯管
    未说明
    未说明
    R-PDSO-C2
    SINGLE
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    150μA @ 30V
    490mV @ 5A
    150°C Max
    5A
    30V
    30V
    5A
    1
    50A
    150μA
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RURD660S9A
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    超快软恢复
    自由旋转二极管
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    1.5V @ 6A
    -65°C~175°C
    6A
    -
    600V
    6A
    1
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    3
    260.37mg
    2002
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    600V
    6A
    RURD660S9
    Single
    50W
    CATHODE
    6A
    60A
    1.5V
    60 ns
    100μA
    600V
    60A
    600V
    60A
    60 ns
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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