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首页 全部分类 RCX051N25 vs FQPF6N25

RCX051N25备选型号: FQPF6N25

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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • ROHM Semiconductor
    RCX051N25
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 5A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    5A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    1.36 Ω @ 2.5A, 10V
    5.5V @ 1mA
    350pF @ 25V
    8.5nC @ 10V
    250V
    ±30V
    5A
    TO-220AB
    5A
    20A
    250V
    1.82 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF6N25
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 4A TO-220F
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1 Ω @ 2A, 10V
    5V @ 250μA
    300pF @ 25V
    8.5nC @ 10V
    -
    ±30V
    4A
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    QFET®
    250V
    4A
    Single
    37W
    65ns
    30 ns
    30V
    250V
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