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RCX160N20备选型号: IRF200B211

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • ROHM Semiconductor
    RCX160N20
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 16A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    16A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 8A, 10V
    5.25V @ 1mA
    1370pF @ 25V
    26nC @ 10V
    200V
    ±30V
    16A
    TO-220AB
    0.18Ohm
    64A
    200V
    20.7 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF200B211
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 200 V 170 mOhm 15.3 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    170m Ω @ 7.2A, 10V
    4.9V @ 50μA
    790pF @ 50V
    23nC @ 10V
    200V
    ±20V
    12A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®, StrongIRFET™
    170mOhm
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