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首页 全部分类 RDN150N20FU6 vs IRF640NPBF

RDN150N20FU6备选型号: IRF640NPBF

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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RDN150N20FU6
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    15A Ta
    150°C TJ
    Bulk
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    40W
    N-Channel
    160m Ω @ 7.5A, 10V
    4V @ 1mA
    1224pF @ 10V
    64nC @ 10V
    ±30V
    15A
    200V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF640NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    18A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    1999
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    150W
    N-Channel
    150m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    1160pF @ 25V
    67nC @ 10V
    ±20V
    18A
    200V
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    Tin
    3
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    3
    通孔
    150mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    200V
    250
    18A
    30
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    19ns
    5.5 ns
    2V
    TO-220AB
    20V
    72A
    200V
    247 mJ
    241 ns
    175°C
    4 V
    19.8mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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