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首页 全部分类 RDR005N25TL vs PMF780SN,115

RDR005N25TL备选型号: PMF780SN,115

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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 系列
  • HTS代码
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ROHM Semiconductor
    RDR005N25TL
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
    99 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-96
    96
    SILICON
    500mA Ta
    2010
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3/e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    TIN/TIN COPPER
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    R-PDSO-G3
    Single
    增强型MOSFET
    1W
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8.8 Ω @ 250mA, 10V
    3V @ 1mA
    70pF @ 25V
    3.5nC @ 10V
    ±20V
    500mA
    20V
    0.5A
    9.6Ohm
    250V
    1.8mm
    950μm
    3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMF780SN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323
    -
    -
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    SILICON
    570mA Ta
    1997
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G3
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    920m Ω @ 300mA, 10V
    2V @ 250μA
    23pF @ 30V
    1.05nC @ 10V
    ±20V
    -
    -
    0.57A
    0.92Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    TrenchMOS™
    8541.29.00.75
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60V
    60V
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