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首页 全部分类 RFD12N06RLESM9A vs NTD20N06T4

RFD12N06RLESM9A备选型号: NTD20N06T4

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  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    RFD12N06RLESM9A
    ON Semiconductor
    MOSFET 60V Single
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UltraFET™
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    71MOhm
    60V
    鸥翼
    17A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    49W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    63m Ω @ 18A, 10V
    3V @ 250μA
    485pF @ 25V
    15nC @ 10V
    34ns
    ±16V
    50 ns
    17mA
    3V
    TO-252AA
    16V
    60V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    Unknown
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD20N06T4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    20A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2009
    e0
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    60V
    鸥翼
    20A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    46m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    1015pF @ 25V
    30nC @ 10V
    60.5ns
    ±20V
    37.1 ns
    20A
    -
    -
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    Tin/Lead (Sn80Pb20)
    8541.29.00.95
    240
    not_compliant
    30
    3
    不合格
    0.046Ohm
    60A
    170 mJ
  • 添加型号
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