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首页 全部分类 RFD3055SM9A vs RFD3055LESM

RFD3055SM9A备选型号: RFD3055LESM

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • ON Semiconductor
    RFD3055SM9A
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    12A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    60V
    12A
    Single
    53W
    N-Channel
    150m Ω @ 12A, 10V
    4V @ 250μA
    300pF @ 25V
    23nC @ 20V
    21ns
    ±20V
    10 ns
    12A
    20V
    60V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RFD3055LESM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    11A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    60V
    11A
    Single
    38W
    N-Channel
    107m Ω @ 8A, 5V
    3V @ 250μA
    350pF @ 25V
    11.3nC @ 10V
    105ns
    ±16V
    39 ns
    11A
    16V
    60V
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-252AA
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