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首页 全部分类 RFD8P05SM vs IRFIZ24EPBF

RFD8P05SM备选型号: IRFIZ24EPBF

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs（最大值）
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    RFD8P05SM
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA
    通孔
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    8A Tc
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    -50V
    38W
    -8A
    Single
    48W
    P-Channel
    300m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    80nC @ 20V
    30ns
    50V
    20 ns
    11A
    20V
    -50V
    350pF
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFIZ24EPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    14A Tc
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    60V
    -
    14A
    Single
    29W
    N-Channel
    71mOhm @ 7.8A, 10V
    4V @ 250μA
    20nC @ 10V
    34ns
    60V
    27 ns
    14A
    20V
    60V
    370pF
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220AB Full-Pak
    -55°C~175°C TJ
    HEXFET®
    2004
    370pF @ 25V
    ±20V
    71MOhm
    71 mΩ
    无
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