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首页 全部分类 RFNL5BM6STL vs DSR6U600D1-13

RFNL5BM6STL备选型号: DSR6U600D1-13

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 速度
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  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RFNL5BM6STL
    ROHM Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
    10 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    2016
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    超快恢复
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE
    接收电极
    5A
    600V
    5A
    1
    60 ns
    50A
    1.3V
    10μA
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DSR6U600D1-13
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2012
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EFFICIENCY
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    Standard
    6A
    600V
    6A
    1
    45 ns
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    252
    DIODESTAR™
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    175°C
    -65°C
    8541.10.00.80
    260
    40
    DSR6U600
    3
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    50μA @ 600V
    2.6V @ 6A
    CATHODE
    6A
    -65°C~175°C
    60A
    2.1V
    50μA
    600V
    30pF @ 4V 1MHz
    60A
    60A
    21 ns
    600V
    2.39mm
    6.7mm
    7.47mm
    无SVHC
    无
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NRVHPD660T4G NRVHPD660T4G ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK 对比