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首页 全部分类 RFUH10TF6S vs FFPF08S60SNTU

RFUH10TF6S备选型号: FFPF08S60SNTU

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  • 峰值反向电流
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  • 生命周期状态
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RFUH10TF6S
    ROHM Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2
    2
    SILICON
    1
    Bulk
    2014
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -55°C
    超快恢复
    8541.10.00.80
    未说明
    未说明
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 600V
    2.8V @ 10A
    ISOLATED
    10A
    150°C Max
    600V
    10A
    1
    25 ns
    10μA
    600V
    60A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FFPF08S60SNTU
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-2 Full Pack
    2
    SILICON
    1
    Tube
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -65°C
    超快软恢复
    8541.10.00.80
    -
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    3.4V @ 8A
    ISOLATED
    8A
    -65°C~150°C
    600V
    8A
    1
    25 ns
    100μA
    600V
    60A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2.565g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
    60A
    8A
    3.4V
    600V
    60A
    25 ns
    15.87mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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