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首页 全部分类 RFUS10TF4S vs ISL9R860PF2

RFUS10TF4S备选型号: ISL9R860PF2

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  • 额定电流
  • 基本部件号
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  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RFUS10TF4S
    ROHM Semiconductor
    DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM
    通孔
    通孔
    TO-220-2 Full Pack
    2
    SILICON
    1
    Tube
    2011
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -55°C
    超快恢复
    8541.10.00.80
    3
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    ISOLATED
    10A
    150°C Max
    430V
    10A
    1
    30 ns
    10μA
    430V
    80A
    1.7V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ISL9R860PF2
    ON Semiconductor
    Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A 600V Stealth
    通孔
    通孔
    TO-220-2 Full Pack
    2
    SILICON
    1
    Tube
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    150°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    8541.10.00.80
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    ISOLATED
    8A
    -55°C~150°C
    600V
    8A
    1
    30 ns
    100μA
    600V
    100A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    5 Weeks
    2.565g
    Stealth™
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    自由旋转二极管
    30pF
    600V
    8A
    ISL9R860
    100μA @ 600V
    85W
    8A
    2.4V @ 8A
    100A
    2.4V
    600V
    100A
    30 ns
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
    无铅
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