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RN2115,LF(CT备选型号: RN2116,LF(CT

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包装
零件状态
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集电极发射器电压(VCEO)
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
最大集极截止电流
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
频率转换
发射极基极电压 (VEBO)
电阻基(R1)
连续集电极电流
电阻-发射极基极(R2)
RoHS状态
供应商器件包装
功率 - 最大

RN2115,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

18 Weeks
表面贴装
SC-75, SOT-416
100mA
Cut Tape (CT)
Discontinued
1 (Unlimited)
100mW
PNP
PNP - Pre-Biased
-50V
50 @ 10mA 5V
500nA
300mV @ 250μA, 5mA
50V
200MHz
-6V
2.2 k Ω
-100mA
10 k Ω
符合RoHS标准
-
-
RN2116,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

18 Weeks
表面贴装
SC-75, SOT-416
100mA
Cut Tape (CT)
Discontinued
1 (Unlimited)
100mW
PNP
PNP - Pre-Biased
-50V
50 @ 10mA 5V
500nA
300mV @ 250μA, 5mA
50V
200MHz
-7V
4.7 kOhms
-100mA
10 kOhms
符合RoHS标准
SSM
100mW
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