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RQ3E080BNTB备选型号: IRFTS8342TRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 系列
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 30V 8A HSMT820 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON8A Ta150°C TJCut Tape (CT)2014活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLAT未说明not_compliant未说明R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING15.2m Ω @ 8A, 10V2.5V @ 1mA660pF @ 15V14.5nC @ 10V30V±20V8A8A0.022Ohm32A30VROHS3 Compliant无铅------------------
MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON8.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008活跃1 (Unlimited)6EAR99DUAL鸥翼-----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING19m Ω @ 8.2A, 10V2.35V @ 25μA560pF @ 25V4.8nC @ 4.5V-±20V8.2A--80A-ROHS3 Compliant无铅TinHEXFET®19MOhmSingle2W7.3 ns15ns8.2 ns1.8V20V30V12 ns1.8 V1.3mm3mm1.75mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD4815NHT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK | 对比 |
 | DMN4800LSSQ-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO | 对比 |
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