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首页 全部分类 RQ3E130BNTB vs FDS8896

RQ3E130BNTB备选型号: FDS8896

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  • 操作模式
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  • 晶体管应用
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  • DS 击穿电压-最小值
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  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 系列
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  • 无铅代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    RQ3E130BNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    13A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 13A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1900pF @ 15V
    36nC @ 10V
    30V
    ±20V
    13A
    0.0094Ohm
    52A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8896
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    15A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 15A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2525pF @ 15V
    67nC @ 10V
    -
    ±20V
    15A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    130mg
    PowerTrench®
    e4
    yes
    6MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    15A
    Single
    2.5W
    8 ns
    37ns
    24 ns
    1.2V
    20V
    30V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
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