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首页 全部分类 RQ3E180GNTB vs IRF8734TRPBF

RQ3E180GNTB备选型号: IRF8734TRPBF

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  • 端子位置
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  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 功率耗散
  • 高度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    RQ3E180GNTB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    18A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    16.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.3m Ω @ 18A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1520pF @ 15V
    22.4nC @ 10V
    6.9ns
    ±20V
    10.2 ns
    18A
    20V
    0.0055Ohm
    30V
    72A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8734TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 21A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3175pF @ 15V
    30nC @ 4.5V
    16ns
    ±20V
    8 ns
    21A
    20V
    -
    30V
    -
    ROHS3 Compliant
    HEXFET®
    e3
    3.5MOhm
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.5W
    1.4986mm
    3.9878mm
    无
    无铅
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